Electrónica física y modelos de circuitos de transistores
Electrónica física y modelos de circuitos de transistores
- 1°? ed.
- Barcelona Reverté c. 1978
- 264 p. gráficos
Apéndices p. 247-260: A) Estudio más detallado de la capa de carga espacial de una unión; B) El campo eléctrico en las regiones neutras de una unión pn. Índice alfabético p. 261-264.
Dispositivos semiconductores de unión. Funcionamiento físico de los diodos de unión pn. Comportamiento en cc de los diodos de unión pn. Otros efectos en los diodos de unión pn. Comportamiento dinámico de los diodos de unión pn. Modelos con constantes localizadas para los diodos de unión. Estructura y funcionamiento de los transistores. Modelos de transistor para señales de poca amplitud. Modelo de Ebers-Moll para la característica tensión-intensidad de un transistor. Modelos de transistor para conmutaciones dinámicas.
84-291-3440-9 (obra completa) 84-291-3442-5 (tomo 2)
621.382.3 SEM
Apéndices p. 247-260: A) Estudio más detallado de la capa de carga espacial de una unión; B) El campo eléctrico en las regiones neutras de una unión pn. Índice alfabético p. 261-264.
Dispositivos semiconductores de unión. Funcionamiento físico de los diodos de unión pn. Comportamiento en cc de los diodos de unión pn. Otros efectos en los diodos de unión pn. Comportamiento dinámico de los diodos de unión pn. Modelos con constantes localizadas para los diodos de unión. Estructura y funcionamiento de los transistores. Modelos de transistor para señales de poca amplitud. Modelo de Ebers-Moll para la característica tensión-intensidad de un transistor. Modelos de transistor para conmutaciones dinámicas.
84-291-3440-9 (obra completa) 84-291-3442-5 (tomo 2)
621.382.3 SEM