000			01528nam a22003497a 4500
003			AR-HaUTN
005			20240930172533.0
007			ta
008			180618b xxu||||| |||| 00| 0 spa d
020			_a84-291-3440-9 (obra completa)
020			_a84-291-3442-5 (tomo 2)
040			_aAR-HaUTN _cAR-HaUTN
080			_a621.382.3 SEM
110			_93132 _aSemiconductor Electronics Education Committee _gSEEC
245			_aElectrónica física y modelos de circuitos de transistores
250			_a1°? ed.
260			_aBarcelona _bReverté _cc. 1978
300			_a264 p. _bgráficos
500			_aApéndices p. 247-260: A) Estudio más detallado de la capa de carga espacial de una unión; B) El campo eléctrico en las regiones neutras de una unión pn.
500			_aÍndice alfabético p. 261-264.
505			_tDispositivos semiconductores de unión.
505			_tFuncionamiento físico de los diodos de unión pn.
505			_tComportamiento en cc de los diodos de unión pn.
505			_tOtros efectos en los diodos de unión pn.
505			_tComportamiento dinámico de los diodos de unión pn.
505			_tModelos con constantes localizadas para los diodos de unión.
505			_tEstructura y funcionamiento de los transistores.
505			_tModelos de transistor para señales de poca amplitud.
505			_tModelo de Ebers-Moll para la característica tensión-intensidad de un transistor.
505			_tModelos de transistor para conmutaciones dinámicas.
942			_2udc _cBK
999			_c5589 _d5589